Американские физики создали самый маленький в мире транзистор.

Электронный компонент микросхем имеет длину затвора порядка одного нанометра. Посвященное этому исследование опубликовано в журнале Science.

Уменьшение длины затвора было достигнуто благодаря использованию в транзисторе сульфида молибдена. Этот материал имеет, по сравнению с кремнием, более низкую диэлектрическую проницаемость, благодаря чему управление напряжением на устройстве может достигаться затвором меньших размеров — углеродной нанотрубкой диаметром один нанометр.

Исследование ученых показало возможность обойти закон Мура, накладывающий ограничение на физические размеры электронных компонентов, при помощи использования специально подобранных материалов и архитектуры. В настоящее время, согласно этому закону, невозможны кремниевые транзисторы с длиной затвора меньше пяти нанометров.

Между тем ученые не предпринимали попыток компоновки транзисторов на чипе и не приступали к решению проблемы паразитных токов.

В настоящее время самыми прогрессивными считаются кремниевые микросхемы, созданные по 14-нанометровому технологическому процессу. Ведущие чипмейкеры, в частности Intel, Qualcomm и MediaTek, работают над электронными компонентами следующего, 10-нанометрового, поколения.

печать

© "Вечерний Харьков"
При любом использовании материалов сайта, гиперссылка на vecherniy.kharkov.ua обязательна. Редакция "Вечернего Харькова" может не разделять точку зрения авторов статей и ответственности за содержание републицируемых материалов не несет.